Results for C232C(359)
| Part Number | MFG | D/C | Stock | Package | Action |
|---|---|---|---|---|---|
| DS14C232CMX | NS/美国国半 | 22+ | 18,850 | SOPN/A16 | |
| DS14C232CMX | NAT | N/A | 19,111 | N/A | |
| DS14C232CMX | NS专营 | 20+ | 95,852 | SOPN/A16 | |
| DS14C232CMX | NS/美国国半 | 23+ | 50,000 | SOP | |
| DS14C232CMX | NS/美国国半 | 22+ | 18,850 | SOPN/A16 | |
| DS14C232CMX | NS/美国国半 | 00+ | 11,808 | SOP16 | |
| DS14C232CMX | NS/美国国半 | 21+ | 9,000 | SOP16 | |
| DS14C232CMX | NS/美国国半 | 0118+ | 4,280 | SOP16 | |
| DS14C232CMX | TI/德州仪器 | 2024+ | 8,202 | SOPN/A16 | |
| DS14C232CMX | NS/美国国半 | 00+ | 9,895 | SOP16 | |
| DS14C232CMX | NS专营 | 2017 | 78,900 | SOP | |
| DS14C232CMX | NS/美国国半 | 23+ | 50,000 | SOP | |
| DS14C232CMX | NATIONALSEMICONDUCTOR | 19+ | 5,800 | N/A | |
| DS14C232CMX | TI/德州仪器 | 2013 | 5,500 | SOP | |
| DS14C232CMX | TUDI/钍地 | 25+ | 20,000 | SOP16 | |
| DS14C232CMX | TI/德州仪器 | 2024+ | 8,202 | SOPN/A16 | |
| DS14C232CMX | NS/美国国半 | 07+ | 7,532 | SOPN/A16 | |
| DS14C232CN | TI/德州仪器 | N/A | 6,576 | 16DIP | |
| DS14C232CN | NS专营 | 2017 | 78,900 | DIP16 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 22+ | 985,000 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | NSC/TIN/A数量有多 量大可发 | 20+ | 10,258 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | N/A | 25+ | 5,973 | N/A | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 2018 | 99,998 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 26+ | 5,042 | DIP16 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 23+ | 50,000 | DIP | |
| DS14C232CN | TUDI/钍地 | 26+ | 87,500 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | TUDI/钍地 | 25+ | 20,000 | DIP16 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 25+PB | 688,888 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | TI/德州仪器 | 19+20+ | 5,000 | SOT23N/A3 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 24+25+ | 6,561 | IlP | |
| DS14C232CN | NS专营 | 2017 | 78,900 | DIP16 | |
| DS14C232CN | TUDI/钍地 | 26+ | 87,500 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | TUDI/钍地 | 26+ | 87,500 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | HARRIS/哈里斯 | 15+ | 3,500 | DIP16 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 2023+ | 5,860 | N/A | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 22+ | 18,850 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | HARRIS/哈里斯 | 21+ | 4,452 | DIP16 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 22+ | 18,850 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | TUDI/钍地 | 26+ | 87,500 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 2022+ | 4,200 | DIP16 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 22+ | 985,000 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | TUDI/钍地 | 26+ | 87,500 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 2025+ | 990,000 | DIPN/A16 | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 23+ | 50,000 | DIP | |
| DS14C232CN | UDF/优迪半导体 | 26+ | 688,000 | SOP/DIP | |
| DS14C232CN | NS/美国国半 | 1134 | 17,000 | DIP | |
| DS14C232CWM | NS/美国国半 | 99+ | 200 | SOIC | |
| DS14C232CWM | NS专营 | 2017 | 78,900 | SOPN/A16(7.2MM) | |
| DS14C232CWM | NS/美国国半 | 10+ | 38 | SMD | |
| DS14C232CWM | DALLAS SEMICONDUCTOR | 13+ | 2,500 | SOP16 |
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