Results for GSOT08C(155)
| Part Number | MFG | D/C | Stock | Package | Action |
|---|---|---|---|---|---|
| GSOT08C-HE3-08 | VISHAY/威世 | 19+ | 495,000 | N/A | |
| GSOT08C-HE3-08 | VISHAY/威世 | 2025+ | 150,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HE3-08 | VISHAY/威世 | 2026+ | 236,600 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HE3-08 | XINGHEWEI | 25+ | 300,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HE3-08 | VISHAY/威世 | 25+ | 1,000,000 | N/A | |
| GSOT08C-HE3-08 | VISHAY/威世 | 26+ | 158,000 | SOTN/A23N/A3 | |
| GSOT08C-HE3-08 | VISHAY/威世 | 24+ | 1,260,000 | PDD | |
| GSOT08C-HE3-08 | HXY MOSFET华轩阳电子 | 25+ | 68,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HG3-08 | VISHAY/威世 | 2026+ | 236,600 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HG3-08 | QDON/启迪半导体 | 25+ | 374,935 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HG3-08 | VISHAY/威世 | 2025+ | 150,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HG3-08 | XINGHEWEI | 25+ | 300,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HG3-08 | VISHAY/威世 | 2026+ | 663,300 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HG3-08 | VISHAY/威世 | 2025+ | 150,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HG3-08 | VISHAY/威世 | 26+ | 158,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-HG3-08 | HXY MOSFET华轩阳电子 | 25+ | 68,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | RC | 26+ | 188,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | VISHAY/威世 | 25+ | 30,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | VISHAY/威世 | 26+ | 83,500 | SOT23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | VISHAY/威世 | 2022+ | 53,200 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | VISHAY/威世 | 24+ | 17,936 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | MXT/美芯台 | 26+ | 109,900 | SOT23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | VISHAY/威世 | 25+ | 30,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | VISHAY/威世 | 23+ | 63,000 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | VISHAY/威世 | 25+ | 83,121 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | VISHAY/威世 | 2012+ | 17,304 | SOTN/A23 | |
| GSOT08C-V-G-08 | VISHAY/威世 | 2436+ | 496,308 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 22+ | 30,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 26+ | 113,315 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 2025+ | 18,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 24+ | 30,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 25+ | 699,999 | N/A | |
| LGSOT08CLT1G | TSD/泰盛达 | 26+ | 30,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | HXY MOSFET华轩阳电子 | 25+ | 68,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 22+ | 158,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 2026+ | 663,300 | SOT23 | |
| LGSOT08CLT1G | ONSEMI/安森美 | 25+ | 108,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 25+PB | 45,890 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 25+ | 83,121 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 2025+PB | 21,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | TSD/泰盛达 | 26+ | 30,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 26+ | 158,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 2026+ | 236,600 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 24+ | 99,999 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/Cnnpchip/新晶微 | 26+ | 121,827 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 2013+PB | 21,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 2025+PB | 66,000 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 25+PB | 365,800 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 24+ | 239,060 | SOTN/A23 | |
| LGSOT08CLT1G | LRC/乐山 | 25+ | 393,000 | N/A |
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